高速自動測試設(shè)備的未來
半導(dǎo)體工業(yè)正逐步向納米制造工藝轉(zhuǎn)變。納米技術(shù)帶來了巨大的好處:增加晶體管的數(shù)量幾乎是免費(fèi)的。另一方面,CMOS工藝發(fā)生了重大變化,納米SOC出現(xiàn)了新的制造缺陷。第一個問題是,定時故障的數(shù)量在高頻段增加。其他問題包括串?dāng)_、時鐘偏移和同步以及高速I/O參數(shù)故障。由于其模擬特性,它們對來自相鄰數(shù)字核的注入噪聲特別敏感
為了解決測試質(zhì)量和測試成本問題,人們正在研究新的測試設(shè)計(jì)技術(shù)和其他測試方法。特別是,交流掃描和內(nèi)建自測試(BIST)/環(huán)回技術(shù)被越來越多地用于改善高速器件中與時序相關(guān)的故障
這些增強(qiáng)型架構(gòu)的測試和開發(fā)是否需要千兆赫茲數(shù)據(jù)速率高速自動測試設(shè)備(ATE)?高速ATE系統(tǒng)中的高速功能和參數(shù)測試在未來還會繼續(xù)需要嗎?經(jīng)濟(jì)合理性等問題也將隨之而來
納米制造缺陷及其后果
改變?nèi)毕萏卣鞯囊粋€例子是與時間相關(guān)的故障的大量增加。這通常會導(dǎo)致高頻故障,例如固定故障。與直流故障相比,相關(guān)的時序問題只能通過高速測試來檢測
隨著器件尺寸的減小,晶體管的關(guān)鍵參數(shù)(如柵氧化層厚度、閾值電壓、有效晶體管長度、漏電流)增大。這都會影響時間

本質(zhì)上,這將導(dǎo)致寄生參數(shù)的非理想縮放和非理想PCB布線的可變性。這些因素會引起芯片速度和功耗的巨大變化
電容串?dāng)_和RC互連延遲將進(jìn)一步惡化小型器件的高速性能?;ミB引起的傳輸延遲控制著晶體管的柵極延遲。這種影響會影響設(shè)備的性能
對于這些復(fù)雜的納米器件,傳統(tǒng)的高速功能測試是針對信號完整性問題(如紅外電壓降、電感干擾、襯底耦合、電漂移等)進(jìn)行的,而目前的模擬技術(shù)無法證明這些問題。高速測試還可以實(shí)現(xiàn)所需的定時關(guān)斷
在新納米設(shè)計(jì)產(chǎn)品的熱潮中,低產(chǎn)量往往是一個問題,因?yàn)槿毕荼纫郧暗募夹g(shù)更依賴于應(yīng)用。為了達(dá)到所要求的產(chǎn)品質(zhì)量水平,需要進(jìn)行更全面的測試。除了DFT功能外自動測量設(shè)備,高速功能測試還提供了主要的反饋回路,用于理解新制造過程中固有的失效機(jī)制
SoC設(shè)計(jì)中的同步
系統(tǒng)范圍內(nèi)的時鐘同步是大量納米設(shè)計(jì)中的主要問題之一。當(dāng)高速設(shè)計(jì)的最小時鐘周期減少時,由于在同一個芯片上集成了更多的元件,所以芯片尺寸仍然很大。因此,與互連延遲成正比的時鐘偏差成為時鐘周期的重要組成部分,而同步設(shè)計(jì)中的跨芯片通信需要多個時鐘周期
為了解決這些問題,采用了復(fù)雜的時鐘偏移消除技術(shù)。在大量的設(shè)計(jì)中,新的方法,如全局異步本地同步(gals),正在取代通常的定時方法。然而,在SoC設(shè)計(jì)中,不同域之間的數(shù)據(jù)傳輸必須重新同步。高速功能測試可以解決這類同步問題,但其他高速方法(如交流掃描)不能解決這類同步問題

高速I/O測試問題
目前,高性能SoC的設(shè)計(jì)包含了大量不同的高速I/O總線和協(xié)議。我們可以看到各種不同的信號傳輸類型,從同步雙向到單向信號傳輸,從單端到低壓差分信號傳輸。傳統(tǒng)的寬、并行、源同步、時鐘信號分離的總線結(jié)構(gòu)正被窄、串行、嵌入式時鐘技術(shù)所取代。在設(shè)備的接收端口,使用帶有CDR單元的SerDes從輸入數(shù)據(jù)流中提取時鐘信號
@k9號@
PC芯片組設(shè)備是混合I/O類型的示例(圖1))。例如,PCI-Express和s-ata都使用了具有單向低擺幅差分信號傳輸?shù)那度胧綍r鐘技術(shù)。PCI Express可以包括2.5Gb/S數(shù)據(jù)速率,而S-ata數(shù)據(jù)速率1.5Gb/S或3gb/S僅支持一個通道
相反,DDR存儲接口和Intel的前端總線(FSB)結(jié)構(gòu)現(xiàn)在采用單端、雙向和源同步技術(shù)。目前,F(xiàn)SB的800mb/s數(shù)據(jù)速率有望很快提高到1066mb/s,甚至達(dá)到100mb/sk12@6Gb/秒
為了適應(yīng)硬件的變化和行業(yè)時間的不確定性,需要靈活的測試設(shè)備。它需要數(shù)百個高速引腳,但多時鐘域的工作速率也是可變的,因?yàn)椴煌慕涌诒仨毻瑫r測試
大量SerDes宏單元被集成到消費(fèi)SOC器件中,這將導(dǎo)致復(fù)雜的I/O相關(guān)測試問題,如抖動相關(guān)的擴(kuò)展參數(shù)測試。對于高度集成的SOC器件,這些測試顯得更為重要,因?yàn)樗鼈兊拇罅績?nèi)核可能會對有效的片外數(shù)據(jù)傳輸產(chǎn)生負(fù)面影響

高集成度的數(shù)字ate通道比傳統(tǒng)的機(jī)架式或混合信號儀器更適合于參數(shù)測試。它需要幾千兆赫的輸入模擬帶寬、低的固有系統(tǒng)抖動和高的定時精度。由于高速功能測試是針對所有這些測試問題進(jìn)行的,因此高速功能測試仍然是驗(yàn)證芯片正確邏輯和電氣性能的主要工具。這是高速器件調(diào)試和特性化過程中的兩個主要任務(wù)
全速功能測試與全速DFT并存
隨著測試成本的不斷降低自動測量設(shè)備,片上測試能力資源的廣泛開發(fā)和應(yīng)用不斷推進(jìn)。為了測試相關(guān)的時序問題,傳輸故障的全速結(jié)構(gòu)測試、關(guān)鍵路徑的路徑延遲測試和BIST/loopback技術(shù)得到了越來越多的應(yīng)用
結(jié)構(gòu)全速法的一個例子是AC-scan,EDA工具對AC-scan的支持也在不斷提高。然而,交流掃描測試期間的切換動作與功能測試完全不同。因此,它不能模擬實(shí)際的應(yīng)用條件。因此,這種方法需要實(shí)際功能測試的廣泛相關(guān)性
即使存在良好的相關(guān)性,仍然會存在其他可能的問題,導(dǎo)致產(chǎn)量損失增加或試驗(yàn)泄漏
不準(zhǔn)確的延遲測試可能是導(dǎo)致屈服損失和測試泄漏的另一個原因。只有幾十皮秒的延遲路徑測量誤差相當(dāng)于內(nèi)部時鐘周期的5%。到目前為止,對延遲路徑測量增加公差的方法還不清楚,因此這些誤差可能導(dǎo)致成品率損失或測試泄漏
將片上BIST與串行環(huán)回相結(jié)合是另一種流行的全速產(chǎn)品測試技術(shù),特別是SerDes I/O單元測試技術(shù)。使用專用ate環(huán)回卡(如Agilent 93000 BIST)Assist6.4)可以增強(qiáng)測試范圍,除了基本的函數(shù)測試外,還支持參數(shù)測量(圖2))

@k17號公路@
雖然DFT等低成本技術(shù)是高速器件許多高頻I/O特性最經(jīng)濟(jì)的測試方案,但對ate仍有很強(qiáng)的要求。希望ate能夠提供全速的激勵和捕獲,特別是在產(chǎn)品定型之前。當(dāng)DFT完全取代全速功能測試時,故障覆蓋率趨于折衷。這可能是一個潛在的風(fēng)險(xiǎn),尤其是對于將流程技術(shù)推向極限的新I/O技術(shù)而言
另外,DFT技術(shù)還比較成熟,不同的硅供應(yīng)商遵循不同的DFT發(fā)展策略。因此,全速DFT并不總是在整個行業(yè)中實(shí)施。即使在生產(chǎn)中,在可預(yù)見的未來,整個行業(yè)也不會希望用全速DFT完全取代全速功能測試
高速ate通道的關(guān)鍵要求
針對ate的設(shè)計(jì)特點(diǎn),ate的高速驅(qū)動和采集能力必須與高定時精度相匹配。同樣重要的是,必須提供的ate功能是經(jīng)濟(jì)的,因?yàn)榘雽?dǎo)體制造商面臨巨大的成本壓力
高速ate要求如下:
·高靈活性:它的功能包括多種I/O類型

·完全可測量:它的能力包括所需的速度和所需的引腳資源的整個范圍。數(shù)據(jù)速率從幾百兆赫到幾千兆赫不等,所需的引腳數(shù)高達(dá)2000個
·高性能:高精度和快速吞吐量
·多時鐘域支持
·負(fù)擔(dān)得起的成本
結(jié)論
不管目前的進(jìn)展如何,全速度結(jié)構(gòu)和基于BIST的環(huán)回測試不太可能解決所有與納米制造缺陷相關(guān)的問題。隨著大多數(shù)產(chǎn)品的生命周期越來越短,檢測和優(yōu)化DFT電路以達(dá)到要求的水平變得越來越困難
在許多情況下,基于DFT的技術(shù)將與數(shù)量有限的功能全速圖形共存,這可以填補(bǔ)純DFT技術(shù)的泄漏測試范圍。因此,提供高速、高密度